RSFDLR3G

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RSF010P03TL參數(shù)：MOSFET P-CH 30V 1A TUMT3

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： MOSFETs
產(chǎn)品目錄繪圖： TUMT-3PackageTop
特色產(chǎn)品： ECOMOS?SeriesMOSFETs
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：1A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：350毫歐@1A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：-
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：1.9nC@5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：120pF@10V
功率-最大值：800mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：3-SMD，扁平引線
供應(yīng)商器件封裝：TUMT3